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  • 单晶硅生长磁场尖点研究的磁场.pdf
  • 日期:2019-05-05   点击:   作者:365bet游戏开户   来源:365bet娱乐场开户
李李大学硕士论文
答案
由于双硅晶体直径的增加和锗质量要求的提高,磁场已成为大直径硅单晶。
儒家意味着。
事实上,已经发现磁场提取晶体可以更好地控制体内的氧含量和微观缺陷。
磁场是最理想的。
的确,硅磁场的晶体生长技术,它必须解决两个问题:1)
获得适当的磁场强度和分布以控制该区域中的熔体流动。2)9个行业可以接受熊市
C的自消耗产生所需强度的磁场。
为此,该文献提出了用于真硅单晶生长的尖点场的研究和设计。
本文档首先将尖点磁场的结构与电磁场的基本原理和实际单个玻璃烤箱的特性结合起来,使用积分焓和炉子。
网状体的三维空间和其他媒体,设计和写作]实现Cusp的磁场模拟程序/ YCuspl /开放场空间的每一点
磁场强度的计算
与有限元法(Ansys)相比,仿真程序能够根据实际需要修改一些参数。
无需改造,可以轻松,直观,快速地模拟磁场强度,场线,坩埚尺寸和位置。
使用仿真软件,将线圈位置调整到t以下,并调整上下线圈和上下脊的半径比和垂直线的比例。
鞋场参数9ZYCuspT对线圈匝数和磁场分布等参数的影响。
掌握这些
第一定律的基础进一步探讨了8英寸硅双晶生长反应堆的磁场
较低的磁场分布模拟了尖点的较好磁场。
在优化条件下,收集常规铜线。
长大
该区域附近的径向磁场强度达到350 N,纵向磁场强度达到N 1200高斯,能耗为s4。
球w
这太棒了
磁场不仅满足了磁场强度方面的晶体生长要求,而且满足了工业生产中低能耗的要求。
模拟了铋材料的磁场分布。
结果表明,当磁场大小相同时,磁场强度是一般指导。
连续25次
最好通过去算法验证模拟得到的优化参数,结果如下
边际元法的结果基本相同。
该文献构造了一个钳位,并写入磁场模拟程序TCusp,用于分析磁场共轭YCasp及其磁场分布。
通过优化磁场的配置参数来获得该问题。
验证了仿真程序具有高精度和模拟。
获得的数据非常可靠。
因此,仿真程序由单晶体引导并模拟干扰大直径参数
设计和制造磁场炉
关键词:硅胶皮,MCZ(直接磁场法),尖点磁场,模拟,有限元分析
浙江李:消防科学硕士
CZ的Offieldsfor
理论
磁性研究以尖头拉硅胶的形式
技术
摘要
直径规增加
CZ(Czochralski)有机硅超细晶体
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过去的成就,磁性Czochralski(MCZ)硅生长技术
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